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SOI高速光開關(guān)陣列
SOI高速光開關(guān)陣列具有多通道,高集成度芯片化,高速響應(yīng)的特性,主要應(yīng)用于光纖傳感,光纖通信,光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護(hù)等領(lǐng)域
產(chǎn)品咨詢
詳細(xì)信息

SOI高速光開關(guān)陣列


       SOI高速光開關(guān)陣列,該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級高速響應(yīng)的光路切換,實(shí)現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成,芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動電路一體化光電封裝,熱電混調(diào),數(shù)字化驅(qū)動,偏振相關(guān)性小,插入損耗低。    

SOI高速光開關(guān)陣列特性

  • 多通道
  • 高集成度芯片化
  • 高速響應(yīng)
SOI高速光開關(guān)陣列應(yīng)用
  • 光纖傳感
  • 光纖通信
  • 光網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控與保護(hù)

SOI高速光開關(guān)陣列規(guī)格參數(shù)

參數(shù)指標(biāo)

Parameters

單位

Unit

最小值

Min.

典型值

Typ.

最大值

Max.

備注

Notes

波長范圍

Wavelength range

nm

1530—1570 nm  or 1270nm—1330 nm

 

消光比

Extinction ratio

dB

19

20

22

 

插入損耗

Insertion loss

dB

1.6

1.8

2.0

 

回波損耗

Return loss

dB

40

50

 

 

偏振相關(guān)損耗

PDL

dB

 

0.3

0.5

 

驅(qū)動電壓

drive voltage

V

0.9

1

1.2

@300ns

驅(qū)動電流

drive current

mA

6

7

9

@300ns

芯片級響應(yīng)時間

Response Time

ns

30

 

300

 

熱調(diào)功耗

Thermal tuning power consumption

mW

30

 

50

 

通道數(shù)

number of channels

 

8—16或可定制

8—16 or Can be customized

 

光功率

Transmission optical power

mW

80

 

工作溫度范圍

Operating temperature range

°C

-20

 

50

 

工作濕度范圍

Operating humidity range

%

 

 

+65

 

尺寸

Dimensions

mm

芯片:20(L)×2.5 (W)×0.5(H)

Chip:20(L)×2.5 (W)×0.5(H)

器件:90(L)x50(W)x13(H)

Component:90(L)x50(W)x13(H)

可定制

can be customized


芯片尺寸

SOI高速光開關(guān)陣列芯片尺寸

器件尺寸

SOI高速光開關(guān)陣列器件尺寸

四川梓冠光電SOI高速光開關(guān)陣列訂貨信息

ZG

波長

Wavelength

通道數(shù)

Number of channels

類型

Type

 

13=1310nm

15=1550nm

1=1CH

4=4CH

8=8CH

16=CH

XX=other

1=不帶熱調(diào)

1=Without temperature regulating thermistor

2=帶熱調(diào)

2=With temperature regulating thermistor

XX=other





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